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刻蚀工艺是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法,有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去,从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。

刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀;湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。

干法刻蚀是用等离子体(离子束刻蚀、反应离子刻蚀RIE、深反应离子刻蚀DRIE、电感耦合等离子体ICP)化学活性较强的性质进行薄膜刻蚀的技术。

九峰山实验室刻蚀工艺设备
  • Dielectric Etch
  • Compound Etch
  • C Etch
  • PR Remove
  • Dielectric Wet Etch
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