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随着人类对信息传输和处理的要求越来越高,“摩尔定律”驱使下的传统微电子技术也已经很难解决芯片在功耗、发热、串扰等方面出现的问题。而通过光电异质集成技术可实现芯片间、芯片内的光互连,将CMOS技术所具备的超大规模逻辑、超高精度制造的特性与光子技术超高速率、超低功耗的优势融合起来,把原本分离器件众多的光、电元件缩小集成到一个独立微芯片中,实现高集成度、低成本、高速光传输。光电异质集成技术可有效解决微电子芯片目前的技术瓶颈问题,也是目前信息产业实现超越摩尔技术路线的重要技术方向。
九峰山实验室正积极布局硅基光电异质集成技术,实现关键底层技术突破,助力国内硅光技术的进一步发展,加速未来信息通信产业进步,研究方向包括:
  • 先进硅光异质集成工艺技术:包含8 inch/12 inch硅光标准平台工艺技术、多材料异质集成工艺技术、光电共封工艺技术等平台技术。
  • 先进硅光异质集成共性技术:高速低功耗光/电芯片设计仿真技术、多材料异质集成工艺设计仿真技术、EDA设计工具及多材料融合PDK器件库设计等共性技术。
  • 先进硅光异质集成应用技术:硅基片上光源集成芯片技术、高速电光调制器芯片技术、超短距光互连芯片技术、生物医疗传感芯片技术、光计算芯片技术等应用技术。
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